专利详情

专利名称	一种可逆相变材料高密度存储装置
申请号	CN201810108166.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108320758A	公开（授权）日	2018.07.24
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	原续鹏;阮昊
主分类号	G11B7/243(2013.01)I	IPC主分类号	G11B7/243(2013.01)I;G11B7/127(2012.01)I;G11B7/1372(2012.01)I;G11B7/128(2012.01)I
专利有效期	一种可逆相变材料高密度存储装置至一种可逆相变材料高密度存储装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于双光束超分辨技术的可逆相变材料高密度存储装置，包括衍射受限的激发光生成组件用于引发光记录；中心光强为零的抑制光生成组件用于抑制光记录；光盘组件中光盘的记录层由半导体合金相变材料构成，在激光的作用下相变材料发生晶相和非晶相之间的可逆变换，导致材料的反射率、折射率等发生相应的可逆变化，能实现信息的超分辨记录；将发光离子掺杂到相变材料中，在合适波长激发光诱导下发出荧光，能实现记录信息的超分辨读出。本发明的基于双光束超分辨技术的可逆相变材料高密度存储装置及方法能实现超分辨读写的功能，解决了因衍射极限的约束而无法继续提升光盘存储容量的问题。