专利详情

专利名称	具备死区特征的半桥型MMC换流器仿真模型
申请号	CN201810225835.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108258925A	公开（授权）日	2018.07.06
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	徐飞;李子欣;高范强;楚遵方;赵聪;王平;李耀华
主分类号	H02M7/219(2006.01)I	IPC主分类号	H02M7/219(2006.01)I;H02M1/38(2007.01)I;G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	具备死区特征的半桥型MMC换流器仿真模型至具备死区特征的半桥型MMC换流器仿真模型	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具备死区特征的半桥型MMC换流器仿真模型，由具备死区特征的半桥型功率模块快速仿真模型和半桥型MMC换流器桥臂等效电路组成，可模拟IGBT死区特性对半桥型MMC换流器桥臂电流的影响。所述半桥型功率模块快速仿真模型由半桥型功率模块等效电路及死区特征计算单元组成。所述死区特征计算单元依据半桥型MMC换流器桥臂电流ia、功率模块投切控制信号gs、死区时间td及功率模块电容电压vc计算得出受控电流源电流im、受控电压源电压vd和vi；由受控电流源电流im和半桥型功率模块等效电路计算得出功率模块电容电压vc；由半桥型功率模块受控电压源电压vd、vi及半桥型MMC换流器桥臂等效电路计算出半桥型MMC换流器的桥臂电流，实现半桥型MMC换流器电磁暂态仿真。