磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法
- 申请号：CN201611155264.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN108220897A
- 公开(公开)日：2018.06.29
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201611155264.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN108220897A | 公开（授权）日 | 2018.06.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曹逊;金平实;常天赐;龙世伟;孙光耀 |
| 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法 至磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法，所述方法为在形成有Cr2O3层的衬底上磁控溅射二氧化钒薄膜，所述衬底的温度为200℃以下，优选为150～200℃。本发明采用的Cr2O3层（Cr2O3缓冲层）材料在可见光区域透明、结晶温度低、晶格常数与结构与VO2能够很好地匹配，可在二氧化钒生长过程中起到模板诱导生长的作用，从而可显著降低VO2薄膜的制备温度。 | ||
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