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一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法

  • 申请号:CN201711360853.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN108220909A
  • 公开(公开)日:2018.06.29
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法
申请号 CN201711360853.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN108220909A 公开(授权)日 2018.06.29
申请(专利权)人 中国科学院兰州化学物理研究所 发明(设计)人 张俊彦;王永富;高凯雄;王彦
主分类号 C23C16/26(2006.01)I IPC主分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法 至一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法。本发明采用PECVD技术在钢基表面上原位渗氮促进膜基结合力,同时调控参数实现类富勒烯碳、类石墨碳、洋葱碳等纳米结构之间相互转变,并通过引入其它元素气体掺入氮、氢、氟、硫、硅等元素,以提高薄膜与钢基结合力、硬度、表面光滑及超滑性能。

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