专利详情

专利名称	一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法
申请号	CN201611100728.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108155562A	公开（授权）日	2018.06.12
申请（专利权）人	上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心	发明（设计）人	武爱民;何兵;仇超;盛振;高腾;甘甫烷;王曦
主分类号	H01S5/30(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/30(2006.01)I
专利有效期	一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法至一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，包括步骤：步骤1），提供一基底，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；步骤2），采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中；步骤3），对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理，以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂，扩大了硅纳米晶发光的光谱范围，降低了由于俄歇效应产生的光子吸收，提高了硅纳米晶发光效率，同时，本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调，结晶质量好，是一种理想的硅基片上光源。