
TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅薄膜太阳能电池及其制备
- 申请号:CN201611042334.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN108110070A
- 公开(公开)日:2018.06.01
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅薄膜太阳能电池及其制备 | ||
申请号 | CN201611042334.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN108110070A | 公开(授权)日 | 2018.06.01 |
申请(专利权)人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 刘生忠;杜敏永;王辉;曹越先;张豆豆;秦炜 |
主分类号 | H01L31/0445(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/06(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
专利有效期 | TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅薄膜太阳能电池及其制备 至TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅薄膜太阳能电池及其制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种新型结构的透明硅基薄膜太阳能电池结构及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。技术方案是:①在TCO玻璃上沉积本征硅薄膜层;②在本征硅薄膜层上沉积p型硅薄膜掺杂层;③在p型硅薄膜掺杂层上沉积TCO薄膜导电层,通过p型硅薄膜掺杂层与TCO玻璃形成内建电场,从而形成一种新型结构的透明薄膜太阳能电池。本发明具备以下优点:1)本发明的透明硅基薄膜太阳能电池没有n型掺杂层,节约了电池制备所用的原材料,降低了生产成本;2)本发明的透明硅基薄膜太阳能电池没有制备n型掺杂层这一工艺环节,减少了生产时间,提高了生产产能;3)本发明的透明硅基薄膜太阳能电池没有n型掺杂层,提高了电池的透光度。 |
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