专利详情

专利名称	一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN201610964168.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108023017A	公开（授权）日	2018.05.11
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	胡劲松;陈尧轩;万立骏
主分类号	H01L51/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用至一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用，所述方法是利用二维限域诱导的溶液以制备有机无机复合大面积钙钛矿的单晶薄膜，该方法对ABX₃型钙钛矿结构材料均有效，均能获得高质量大面积的钙钛矿材料的单晶薄膜。所述薄膜的厚度在10纳米至10微米范围内可调，能适应于不同光电器件对光吸收层的厚度需求。所述薄膜在不同的基底上均能制备，且这种原位生长的方法使单晶薄膜与基地之间具有良好的接触，能适应于不同光电器件对光吸收层的界面需求。所述制备方法的制备条件温和，且具备步骤简单、操作便利、成本低，能耗小等诸多优点，适合于用于不同用途的光电器件大规模工业生产应用。