专利详情

专利名称	一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法
申请号	CN201711445344.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108011030A	公开（授权）日	2018.05.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李铁;田伟;王跃林
主分类号	H01L35/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01L35/22(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I
专利有效期	一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法至一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法，包括：硅衬底，具有第一表面和第二表面，在第一表面上设有沟槽以及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于硅衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域位置的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。