专利详情

专利名称	一种变台阶衍射元件及其制备方法
申请号	CN201711128450.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107976732A	公开（授权）日	2018.05.01
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	王若秋;国成立;张志宇;薛栋林;张学军
主分类号	G02B5/18(2006.01)I	IPC主分类号	G02B5/18(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I
专利有效期	一种变台阶衍射元件及其制备方法至一种变台阶衍射元件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种变台阶衍射元件及其制备方法，所述制备方法根据不同区域的环带宽度尺寸，规划其台阶数目，从而解决加工设备加工能力极限与衍射元件衍射效率之间的矛盾。对于衍射元件的中心区域，相较于外围区域设计更高台阶数目，由于台阶数目的增加，提高了该区域的衍射效率，从而提高整个衍射元件的衍射效率。同时，利用激光直写机分批次对衍射元件的不同级的台阶区域进行曝光，以及利用离子束刻蚀设备对基片进行离子束刻蚀加工，从而在不损失加工精度的前提下，实现具有更高衍射效率的衍射元件的设计及制作。