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一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法

  • 申请号:CN201610916238.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN107961806A
  • 公开(公开)日:2018.04.27
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法
申请号 CN201610916238.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107961806A 公开(授权)日 2018.04.27
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 发明(设计)人 杨明辉;李悦;熊锋强;万里鹏;焦雨桐
主分类号 B01J27/24(2006.01)I IPC主分类号 B01J27/24(2006.01)I;B01J37/08(2006.01)I
专利有效期 一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法 至一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 采用惰性气氛退火处理钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体SrNbO2N,显著提高其光催化活性。本方法中,惰性气氛退火使得SrNbO2N很低的半导体施主浓度得到一定程度上提高,促进光生电子和空穴的分离,从而提高光催化效率,光催化产氧活性可提高10倍。

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