专利详情

专利名称	一种真空低压制备电石的方法
申请号	CN201711318805.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107857267A	公开（授权）日	2018.03.30
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	姜标;赵虹
主分类号	C01B32/942(2017.01)I	IPC主分类号	C01B32/942(2017.01)I
专利有效期	一种真空低压制备电石的方法至一种真空低压制备电石的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种真空低压制备电石的方法。该方法为：碳基原料和钙基原料在低压条件下合成电石，反应过程中采用两段加热法，分别为中低温加热阶段和高温反应阶段。所述中低温加热阶段的温度为500～900℃，时间为0.5～3h，绝对压力为0.5～105Kpa。所述高温反应阶段的温度为1550～1900℃，时间为0.2～4h，绝对压力为50?2000pa。本发明采用低压或真空条件生产电石，可以降低反应温度，缩短反应时间，促进反应向电石生成的方向进行，降低能耗。采用分段加热的方法，可以降低能耗，当以煤为碳源，碳酸钙或氢氧化钙为钙源时，可使得碳源能最大程度转化为电石的同时，还得到高附加值的气体(CO、H₂、CH₄)、和焦油，极大降低CO₂排放，提高了物料的整体有效利用率。