专利详情

专利名称	一种利用常压等离子体制备二维材料的方法
申请号	CN201710882526.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107777674A	公开（授权）日	2018.03.09
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	喻学锋;高明;黄逸凡;黄浩;刘丹妮;王佳宏
主分类号	C01B25/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01B25/00(2006.01)I;C01B32/19(2017.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种利用常压等离子体制备二维材料的方法至一种利用常压等离子体制备二维材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用常压等离子体制备二维材料的方法。该方法基于常压微等离子体技术构建一种阴极为材料晶体的剥离装置，对材料晶体进行剥离，得到二维晶体薄片。与其他剥离方法相比，本发明方法步骤简单、操作方便，短时高效，无需使用复杂昂贵的设备和额外的化学试剂，且对环境和材料表面无污染，特别适用于制备二维黑磷材料。此外，该方法在常温常压条件下即可实现，过程更易于控制，有利于工业化应用。