一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法
- 申请号：CN201610792641.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN107794497A
- 公开(公开)日：2018.03.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201610792641.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107794497A | 公开（授权）日 | 2018.03.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 |
| 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法 至一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种磁控溅射制备A相或B相二氧化钒薄膜的方法，以A相二氧化钒陶瓷靶或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相或B相二氧化钒薄膜，其中沉积温度为350～500℃、沉积全压为0.5～5.0Pa。本发明直接以A相或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，通过控制沉积温度、沉积全压等直接制备得到A相或B相二氧化钒薄膜。 | ||
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