专利详情

专利名称	一种微电极阵列芯片及其制作方法
申请号	CN201610674138.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107758605A	公开（授权）日	2018.03.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴蕾;李刚;金庆辉;赵建龙
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;G01N33/483(2006.01)I
专利有效期	一种微电极阵列芯片及其制作方法至一种微电极阵列芯片及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种微电极阵列芯片及其制作方法，所述制作方法包括：在第一基底上制作微电极阵列结构；在第二基底上制作带有微管道阵列的覆盖层；将覆盖层揭下并在所述覆盖层上打孔，形成进样口阵列；将带有进样口阵列的覆盖层与微电极阵列结构对准贴合；在进样口处加入可热分解聚合物溶液并使其充满整个微管道，对其进行加热固化，而后揭去带有进样口阵列的覆盖层；在S7所述结构上形成具有刺激口阵列的光刻胶固化膜；对S8所述结构进行加热，使可热分解聚合物汽化挥发，形成微管道阵列结构；之后在微管道阵列结构上方粘接培养腔环。通过本发明所述的微电极阵列芯片及其制作方法，解决了现有技术中所述微电极阵列芯片无法对刺激位点进行精确定位的问题。