专利详情

专利名称	一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统
申请号	CN201710918875.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107738392A	公开（授权）日	2018.02.27
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	马小航;戴建明;白金;魏义永;朱雪斌;盛志高;孙玉平
主分类号	B29C41/00(2006.01)I	IPC主分类号	B29C41/00(2006.01)I;B29C41/26(2006.01)I;B29C41/52(2006.01)I;B29C41/36(2006.01)I;B29C41/46(2006.01)I;B29L7/00(2006.01)N
专利有效期	一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统至一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统，包括：筒状超导磁体、超导磁体电源、静电喷雾沉积腔、反应液输送装置和高压直流电源；超导磁体电源与筒状超导磁体电连接；静电喷雾沉积腔设于筒状超导磁体的圆筒内强磁场中；静电喷雾沉积腔为密封结构，并且其腔壁上设有隔热部件；静电喷雾沉积腔的内部设有沉积台和喷嘴；反应液输送装置的注液泵通过供液软管与喷嘴连通，用于将反应液注入喷嘴；高压直流电源通过供电导线与沉积台和喷嘴电连接，用于控制沉积台与喷嘴之间的电场。本发明不仅能够提高薄膜的沉积速率和膜面均匀性，而且可以实现在强磁场下进行薄膜原位生长和后退火处理，从而能够实现对所制备薄膜的微结构和性能进行有效调控。