专利详情

专利名称	一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法
申请号	CN201710890518.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107634089A	公开（授权）日	2018.01.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;陈令修;贺立;谢晓明
主分类号	H01L29/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/12(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L39/00(2006.01)I
专利有效期	一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法至一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯?硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯?硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。