专利详情

专利名称	一种用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置及基于该装置的结晶方法
申请号	CN201710959639.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107617228A	公开（授权）日	2018.01.23
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所;海城市德镁环保科技有限公司	发明（设计）人	李浩然;仇云飞;艾新伟;马英
主分类号	B01D9/00(2006.01)I	IPC主分类号	B01D9/00(2006.01)I;B01D9/02(2006.01)I;B01D1/26(2006.01)I;C01F5/40(2006.01)I
专利有效期	一种用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置及基于该装置的结晶方法至一种用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置及基于该装置的结晶方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置及基于该装置的结晶方法，所述装置包括固定架、一段蒸发槽、二段蒸发槽、加热装置、密封装置、引风机、密度计、喷淋装置、进液管、出液管等部件。所述结晶方法通过调控温度和溶液密度，经过多段蒸发?固液分离、除杂的同时，进行浓缩、结晶，得到高纯度硫酸镁晶体产品。本发明处理液来源广，可用于含硫酸镁的浸出废液处理，也可用于纯硫酸镁的制备。其它中低温蒸发结晶处理工艺也可使用此装置。