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纳米金属颗粒阵列结构的制备方法

  • 申请号:CN201710824969.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 公开(公开)号:CN107620038A
  • 公开(公开)日:2018.01.23
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 纳米金属颗粒阵列结构的制备方法
申请号 CN201710824969.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107620038A 公开(授权)日 2018.01.23
申请(专利权)人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明(设计)人 孔明光;吴兵;刘玲
主分类号 C23C14/20(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/20(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 纳米金属颗粒阵列结构的制备方法 至纳米金属颗粒阵列结构的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种纳米金属颗粒阵列结构的制备方法,属于纳米电化学技术领域,包括以下步骤:S1、选取离子溅射仪,安放在载样台上,矫正离子溅射仪;S2、以聚苯乙烯小球作为模板,以金属靶材为初始材料,将聚苯乙烯小球置于载样台上,旋转载样台,然后通电将金属靶材蒸镀到聚苯乙烯小球表面;S3、将蒸镀后的聚苯乙烯小球进行加热,升温至600?700℃保温,即在聚苯乙烯小球表面沉积纳米金属颗粒阵列;S4、溶解聚苯乙烯小球,即得到金属纳米颗粒有序阵列。该纳米金属颗粒阵列结构通过溅射旋转状态下的聚苯乙烯小球,以达到在聚苯乙烯小球表面镀膜的纳米颗粒阵列结构间距在20nm以下进行调整。

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