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一种半导体激光器及其制作方法

  • 申请号:CN201710897713.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 公开(公开)号:CN107611775A
  • 公开(公开)日:2018.01.19
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种半导体激光器及其制作方法
申请号 CN201710897713.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107611775A 公开(授权)日 2018.01.19
申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 贾鹏;陈泳屹;秦莉;张建伟;宁永强;王立军
主分类号 H01S5/12(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/12(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I
专利有效期 一种半导体激光器及其制作方法 至一种半导体激光器及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法,该半导体激光器包括:衬底,具有相对的第一表面以及第二表面;位于第一表面的图案化的外延功能层,外延功能层在第一方向上依次划分为高阶光栅耦合脊型波导、光波分束波导、脊型增益阵列波导以及自组织相干合束波导;高阶光栅耦合脊型波导产生单频单模的种子光源;光波分束波导位于高阶光栅耦合脊型波导出射光线的一端,将种子光源分束为多路激光;脊型增益阵列波导位于光波分束波导出射光线的一端,将多路激光进行增益放大;自组织相干合束波导位于脊型增益阵列波导出射光线的一端,将经过增益放大后的多路激光进行相干合成为一束输出光。本发明技术方案提高了输出光束的光束质量以及亮度。

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