专利详情

专利名称	半导体测试装置及方法
申请号	CN201710756755.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107589360A	公开（授权）日	2018.01.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张烨;陈亚男;金鹏;郁万成;王占国
主分类号	G01R31/26(2014.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2014.01)I
专利有效期	半导体测试装置及方法至半导体测试装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。