专利详情

专利名称	一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法
申请号	CN201710847497.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107591336A	公开（授权）日	2018.01.16
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	马名生;林琳;刘志甫;李永祥
主分类号	H01L21/48(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/48(2006.01)I
专利有效期	一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法至一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明的低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法，具备如下步骤：将LTCC生瓷带切割成LTCC生瓷片，然后将切割好的多片LTCC生瓷片依次进行第一阶段叠层，从而分别形成上层盖板、子层板和下层板；将子层板与下层板进行第二阶段叠层，从而形成合层板；将上层盖板和合层板进行第三阶段叠层，从而形成带有空腔结构的LTCC巴块；对LTCC巴块进行切割后得到LTCC基板素坯，然后将LTCC基板素坯进行烧结；第三阶段叠层的工艺中的叠层压力、温度和时间均小于第一和第二阶段叠层的工艺中的参数。根据本发明，极大降低了带有空腔结构的低温共烧陶瓷基板的制造成本，有利于低温共烧陶瓷基板空腔结构的批量化生产。