专利详情

专利名称	钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用
申请号	CN201610537120.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107583661A	公开（授权）日	2018.01.16
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	杨明辉;熊锋强;万里鹏;李悦;焦雨桐
主分类号	B01J27/24(2006.01)I	IPC主分类号	B01J27/24(2006.01)I;C01B13/02(2006.01)I
专利有效期	钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用至钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	以La₂TiO₅作为单一前驱体，在高温氨气氛下进行热氨解氮化，制备吸收带边为600nm左右的无EPR和UV?Vis?NIR光谱可探测的缺陷的LaTiO₂N半导体，惰性气氛退火处理，得到缺陷浓度可调变的LaTiO₂N，提高LaTiO₂N光催化活性。或者以La₂Ti₂O₇作为单一前驱体，在高温氨气氛下进行热氨解氮化，制备具有缺陷的LaTiO₂N半导体，惰性气氛退火处理进一步增加缺陷浓度，提高LaTiO₂N光催化活性。本方法中，La₂TiO₅作为前驱体能够有效抑制高温氮化过程中Ti的还原，抑制低价Ti缺陷或杂相的形成，为缺陷浓度调控提供全范围基础；采用简单的惰性气氛退火处理形成阴离子空位缺陷，通过改变退火参数方便地调变缺陷浓度，实现光催化活性优化。