专利详情

专利名称	热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件
申请号	CN201710794394.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107564783A	公开（授权）日	2018.01.09
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	阴生毅;卢志鹏;张永清;张兆传;任峰
主分类号	H01J1/142(2006.01)I	IPC主分类号	H01J1/142(2006.01)I;H01J1/144(2006.01)I;H01J1/20(2006.01)I;H01J9/04(2006.01)I
专利有效期	热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件至热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件，其中热场发射阴极包括钼筒及固定于其上的钨海绵体，其中：钨海绵体的上表面具有微尖阵列，该微尖阵列内部具有孔隙；钨海绵体内部的孔隙与微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙；连通孔隙内填充有活性物质。由于在钨海绵体表面形成有微尖阵列，且构成从钨海绵体直达微尖阵列内部孔隙的连通孔隙，该连通孔隙填有活性物质，从而在热扩散作用下，该活性物质可达到微尖阵列顶部，为实现低功函数的发射提供了条件，因此本发明的热场发射阴极的发射性能相较于传统的热发射阴极，工作温度及功耗大幅降低；相较于传统的场发射阴极，发射电流密度更高，且具有较强的抗打火能力。