专利详情

专利名称	SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
申请号	CN201710737098.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107527803A	公开（授权）日	2017.12.29
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;王谦;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期	SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法至SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC基材表面形成栅介质层。通过上述技术方案，本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质薄膜与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明的利用ALD技术形成的栅介质层临界击穿强度高，漏电小，具有较高的介电常数，可大幅降低引入栅介质薄膜中的电场强度，避免栅介质击穿。