专利详情

专利名称	一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法
申请号	CN201810497411.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108754525A	公开（授权）日	2018.11.06
申请（专利权）人	河北工业大学;中国科学院半导体研究所;邯郸学院	发明（设计）人	王雅琨;刘明生;王智杰;曲胜春;刘孔;刘俊;李燕
主分类号	C25B1/02(2006.01)I	IPC主分类号	C25B1/02(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;C25B11/08(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I
专利有效期	一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法至一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm²。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。