专利详情

专利名称	InGaN量子点的外延生长方法及其应用
申请号	CN201810299704.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108598223A	公开（授权）日	2018.09.28
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学	发明（设计）人	江灵荣;田爱琴;刘建平;张书明;池田昌夫;杨辉
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	InGaN量子点的外延生长方法及其应用至InGaN量子点的外延生长方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种InGaN量子点的外延生长方法，其包括步骤：A、在外延生长装置中，在衬底上依次叠层生长n型GaN层、第一GaN垒层和InGaN阱层；B、在InGaN阱层上制作GaN量子点；C、以GaN量子点为掩膜，刻蚀InGaN阱层，在GaN垒层上获得InGaN量子点；D、生长GaN盖层；E、在GaN盖层上生长第二GaN垒层，获得InGaN量子点外延结构。本发明通过制作GaN量子点，并以该GaN量子点作为掩膜来制作InGaN量子点的方法，可在衬底上制备获得尺寸均匀且可控的InGaN量子点；由此，以基于上述获得的InGaN量子点的InGaN量子点外延结构作为发光层而形成的发光器件，可具有更小的发光半宽。本发明还公开了一种具有上述外延生长方法获得的InGaN量子点外延结构的发光器件。