专利详情

专利名称	用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法
申请号	CN201711455501.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108183137A	公开（授权）日	2018.06.19
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	王光红;王文静;赵雷;刁宏伟
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法至用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜，由一层折射率为1.8～2.1的常规氢铪共掺氧化铟薄膜及一层折射率为1.4～1.6的纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜组成。常规氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在太阳电池迎光面的掺杂层上，纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在常规氢铪共掺氧化铟薄膜上。采用的速率射频磁控溅射沉积常规氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面平行，薄膜厚度70～90nm。采用的速率射频磁控溅射沉积纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面成一定角度，薄膜厚度10～30nm。典型的未经热处理的复合导电减反膜电阻率4.3×10?4Ωcm，载流子浓度3.9×1020cm?3，迁移率56.5cm2V?1s?1，在500?1100nm波长范围内的加权平均反射率3.53％。本发明制备的复合薄膜起到电池导电电极及减少光反射的作用。