专利详情

专利名称	基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
申请号	CN201611068958.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108122999A	公开（授权）日	2018.06.05
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	刘宝丹;张兴来;刘青云;杨文进;李晶;刘鲁生;姜辛
主分类号	H01L31/0304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/108(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I
专利有效期	基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法至基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法，属于光电探测器领域。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列，然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒，最后利用光刻技术在单根沉积有Pt纳米颗粒的GaN纳米线两端沉积一层金属电极。紫外探测器的光电性能测试结果显示，相比于没有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器，有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器显示出更大的光电流、更高的光响应度、外量子效率、开/关比，以及更快的开光速度和更好的光电流稳定性，具有很好的潜在应用。另外，该器件制造工艺简单、重复性强、工艺可控性强、成本低。