专利详情

专利名称	带隙基准电压产生装置
申请号	CN201711138757.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107870648A	公开（授权）日	2018.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐子轩;李博;刘海南;罗家俊
主分类号	G05F1/565(2006.01)I	IPC主分类号	G05F1/565(2006.01)I;G05F1/567(2006.01)I
专利有效期	带隙基准电压产生装置至带隙基准电压产生装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种带隙基准电压产生装置，属于集成电路领域。该带隙基准电压产生装置包括主体电路、第一补偿电路和第二补偿电路。其中，主体电路用于产生带隙基准电压。在非辐射条件下，第一补偿电路的第一电流补偿端的电压等于第一电压，第二补偿电路的第二电流补偿端的电压等于第二电压。在辐射条件下，第一补偿电路用于为主体电路中运算放大器的反相输入端提供第一补偿电流，使得反相输入端的电压与辐照前保持一致；第二补偿电路用于为运算放大器的同相输入端提供第二补偿电流，使得同相输入端的电压与辐照前保持一致。本发明提供的带隙基准电压产生装置有效地提高了带隙基准的抗辐射性能。