专利详情

专利名称	基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
申请号	CN201610818729.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107819046A	公开（授权）日	2018.03.20
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	姜辛;刘宝丹;张兴来;刘青云;贾文博;刘鲁生
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法至基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于光电探测器领域，特别是指一种基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次为Si衬底、SiO₂绝缘层，绝缘层上的单根孪晶结构GaN纳米线，覆盖在单根孪晶结构GaN纳米线两端的金属电极。本发明中孪晶结构GaN纳米线具有很高的比表面积，并且孪晶结构可以有效实现光生载流子的分离以及快速输运，具有很高的光响应度、外量子效率和光电流增益。更重要的是，该紫外探测器对UV?A波段的紫外光有着非常高的选择性。器件制作工艺简单、成本低、灵敏度高、性能稳定。