专利详情

专利名称	辐射射线检测仪及其制备方法
申请号	CN201710844081.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107607983A	公开（授权）日	2018.01.19
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	薛宁;祁至美;孙建海;刘春秀
主分类号	G01T1/185(2006.01)I	IPC主分类号	G01T1/185(2006.01)I;G01T1/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	辐射射线检测仪及其制备方法至辐射射线检测仪及其制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	辐射射线检测仪及其制备方法，其中，辐射射线检测仪包括：高导电硅基底，具有上表面为开口的至少一个空腔；第一绝缘层和第二绝缘层，分别形成于高导电硅基底的上、下表面；第一绝缘层具有至少两个贯穿其厚度方向的电极槽，电极槽中形成有金属电极，以作为至少一个正极和至少一个负极；以及玻璃体，置于第一绝缘层的上表面，与正极键合；至少一个正极正对至少一个空腔，以使至少一个正极与高导电硅基底不相接触；负极与高导电硅基底接触，以使正极接触面积小于负极接触面积。设置的辐射射线检测仪将高导电硅基底的空腔结构作为辐射的接收端，结构简单，且由于正极的接触面积远小于负极接触面积，从而大幅提高了辐射粒子的检测效率。