专利详情

专利名称	一种高性能基准电压源
申请号	CN201711021624.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107608441A	公开（授权）日	2018.01.19
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	梅年松;杨清山;张钊锋
主分类号	G05F1/567(2006.01)I	IPC主分类号	G05F1/567(2006.01)I
专利有效期	一种高性能基准电压源至一种高性能基准电压源	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高性能基准电压源及其实现方法，基准电压源包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I₀；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；镜像恒流源，用于为正温度系数PTAT电流产生电路提供电流I₀并将电流向电流电压转换电路输出；电流电压转换电路，用于将正温度系数的电流I₀转换为正温度系数的电压；负温度系数CTAT电压产生电路，用于将正温度系数PTAT电流产生电路的三极管的基极发射极电压按比例产生一负温度系数电压并输出，以使所述正温度系数的电压的基准抬高从而在所述电流电压转换电路的上端获得所述正温度系数的电压与负温度系数电压之和的基准电压。