
铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法
- 申请号:CN201610217456.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN107268084A
- 公开(公开)日:2017.10.20
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 | ||
申请号 | CN201610217456.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN107268084A | 公开(授权)日 | 2017.10.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋 |
主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
专利有效期 | 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 至铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法,所述铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1?y)(KxNa1?x)NbO3?y(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.4≤x≤0.6,0≤y≤0.1。本发明中,将原料与生长助剂混合预烧,并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶,通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核,晶体尺寸较大(2~20mm)且裂纹较少等优点。 |
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