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铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法

  • 申请号:CN201610217456.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN107268084A
  • 公开(公开)日:2017.10.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法
申请号 CN201610217456.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107268084A 公开(授权)日 2017.10.20
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋
主分类号 C30B29/22(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 至铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法,所述铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1?y)(KxNa1?x)NbO3?y(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.4≤x≤0.6,0≤y≤0.1。本发明中,将原料与生长助剂混合预烧,并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶,通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核,晶体尺寸较大(2~20mm)且裂纹较少等优点。

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