专利详情

专利名称	用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置
申请号	CN201710272323.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107238786A	公开（授权）日	2017.10.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卜建辉;李莹;罗家俊;韩郑生
主分类号	G01R31/26(2014.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2014.01)I
专利有效期	用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置至用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于器件建模技术领域，涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的测试方法及装置。方法包括：基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置。装置包括：电压获取单元，用于获取在不同体偏下的曲线测试中采用的电压；曲线测试单元，用于根据所述电压获取单元确定的电压进行不同体偏下的曲线测试，获得测试数据；参数提取单元，用于根据所述曲线测试单元获得的测试数据进行所述MOSFET器件模型参数提取。由此解决了现有技术中的不能够兼顾既可以全面提取衬偏效应参数又不影响器件参数提取结果的技术问题，达到了确保MOS器件测试结果正确又兼顾体效应参数提取的技术效果。