专利详情

专利名称	一种闪存单元器件及闪存
申请号	CN201710297289.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107170744A	公开（授权）日	2017.09.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	郝宁;罗家俊;韩郑生;刘海南
主分类号	H01L27/11521(2017.01)I	IPC主分类号	H01L27/11521(2017.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	一种闪存单元器件及闪存至一种闪存单元器件及闪存	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种闪存单元器件及闪存，应用于半导体领域，该闪存单元器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别与沟道区连接，漏区包括多个相互隔离的子漏区；位于沟道区上方的浮栅层和位于浮栅层上方的控制栅层，浮栅层与沟道区之间、浮栅层与控制栅层之间、以及覆盖控制栅层的均为氧化物隔离区域，浮栅层包括多个相互隔离的浮栅块，浮栅块的个数与子漏区的个数相同。通过本发明，只要浮栅层中的浮栅块没有全部损坏，就可以读取到闪存单元器件中保存的数据，因此，增加了闪存单元器件中存储数据的可靠性。