专利详情

专利名称	有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用
申请号	CN201610027829.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106981569A	公开（授权）日	2017.07.25
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李立强;陈小松;张素娜;徐泽洋
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用至有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用，所述修饰方法包括：提供有机薄膜晶体管电极，至少所述电极表面的局部区域由金组成；提供石墨烯氧化物，所述石墨烯氧化物至少具有活性羟基；提供同时包含有活性巯基、氨基的选定化合物，并使所述选定化合物中的活性巯基、氨基分别与所述电极表面的金及所述石墨烯氧化物具有的活性羟基反应，从而使所述石墨烯氧化物固定连接于所述电极表面，最终使所述电极表面被单层氧化石墨烯包覆。本发明提供的有机薄膜晶体管电极修饰方法操作简单，可以在常温常压环境中通过溶液法实现，适合于实际大规模加工，能够显著改善有机场效应晶体管中有机半导体与电极的接触，大幅提高有机场效应晶体管的性能。