一种ITO薄膜的制备方法
- 申请号：CN201610030602.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN106977112A
- 公开(公开)日：2017.07.25
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种ITO薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201610030602.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106977112A | 公开（授权）日 | 2017.07.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 谢美兰;吴馨洲;邵霜霜;陈征;崔铮 |
| 主分类号 | C03C17/25(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/25(2006.01)I;C03C23/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种ITO薄膜的制备方法 至一种ITO薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括：将ITO前驱体液涂覆在基体上，并经干燥处理而形成薄膜；将所述薄膜空气氛围退火，之后进行闪灯强脉冲光烧结处理。与空气退火后不进行闪灯烧结和不进行空气退火直接闪灯烧结的ITO薄膜相比，藉由本发明的方法可以显著提升ITO薄膜的电导，特别是使ITO薄膜在低温下有高的电导，同时还可显著改善ITO薄膜的形貌，并且本发明的方法无需真空、无需高温、简单易行，适用于低温下的应用。 | ||
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