专利详情

专利名称	偏硼酸锂晶体的制备方法和用途
申请号	CN201510982616.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106917139A	公开（授权）日	2017.07.04
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	潘世烈;陈幸龙;张方方;侯雪玲
主分类号	C30B29/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/10(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;G02B1/08(2006.01)I
专利有效期	偏硼酸锂晶体的制备方法和用途至偏硼酸锂晶体的制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种偏硼酸锂晶体的制备方法和用途，该方法所述的晶体化学式为LiBO₂，分子量为49.75，属于单斜晶系，空间群为P2₁/c，晶胞参数为a=5.85(8)?，b=4.35(7)?，c=6.46(6)?,β?=115.1(5)°,Z=4；采用熔体法或助熔剂法生长晶体；通过本发明所述方法获得的偏硼酸锂晶体易于生长、易于加工，用于红外-可见-深紫外波段，可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜和光隔离器、环形器、光束位移器等光学元件，在光学和通讯领域有重要应用。