专利详情

专利名称	半导体激光器及其制作方法
申请号	CN201710147067.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106887789A	公开（授权）日	2017.06.23
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄莹;刘建平;程洋;黄思溢;张书明;李德尧;张立群;杨辉
主分类号	H01S5/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/32(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	半导体激光器及其制作方法至半导体激光器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半导体激光器及其制作方法，所述半导体激光器包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧，所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。本发明提供的半导体激光器，能够增加接触层的接触面积，减小接触电阻，降低热损耗，提升半导体激光器的性能。