专利详情

专利名称	化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途
申请号	CN201710215337.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106894085A	公开（授权）日	2017.06.27
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	潘世烈;王雪飞;张方方;王颖
主分类号	C30B29/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/10(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C30B7/04(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I
专利有效期	化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途至化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为CsB₄O₆F，分子量为291.15，为晶体结构，采用固相合成法或真空封装法制成，所述晶体的化学式为CsB₄O₆F，分子量为291.15，属于正交晶系，空间群为Pna2₁，晶胞参数为a=7.9241??，b=11.3996??，c=6.6638??，α=β=γ=90°，单胞体积为601.95??³。该晶体的倍频效应约为KH₂PO_4?(KDP)?的2倍，紫外吸收边短于190?nm。CsB₄O₆F采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体在空气中不潮解，化学稳定性好，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。