专利详情

专利名称	2，6-二（2-萘基）蒽在制备场效应晶体管中的应用
申请号	CN201710354681.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108878651A	公开（授权）日	2018.11.23
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	胡文平;李洁;甄永刚;刘洁;董焕丽;江浪
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I
专利有效期	2，6-二（2-萘基）蒽在制备场效应晶体管中的应用至2，6-二（2-萘基）蒽在制备场效应晶体管中的应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了2，6?二(2?萘基)蒽的新用途。本发明所提供的2，6?二(2?萘基)蒽的新用途是其作为有机半导体材料在制备有机场效应晶体管和/或有机发光场效应晶体管中的应用。以式I所示的蒽类衍生物作为半导体层材料，分别制备了基于其薄膜和单晶的场效应晶体管。上述器件显示了典型的P型电荷传输性能。其具有较高的迁移率，单晶器件迁移率最高可达12.3cm²·V^?1·s^?1；具有较低的阈值电压，大约为?10V；具有较高的开关比，高达10⁷～10⁸。