专利详情

专利名称	一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法
申请号	CN201710174961.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108627865A	公开（授权）日	2018.10.09
申请（专利权）人	中国科学院国家空间科学中心	发明（设计）人	张斌全;孙莹;张鑫;常峥;张珅毅;荆涛;梁金宝;孙越强
主分类号	G01T1/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01T1/02(2006.01)I;G01T7/00(2006.01)I
专利有效期	一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法至一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法，该方法通过空间辐射剂量仪在轨实测的RADFET传感器阈值电压数据和环境温度数据，得到该传感器的阈值电压与温度变化之间的关系曲线，从而去除RADFET温度效应给空间辐射剂量探测带来的影响，计算出各时刻RADFET传感器仅受空间辐射影响所引起的阈值电压，并最终由定标曲线得到空间辐射的累积剂量，本发明的方法不需要进行传感器的地面温度试验，避免了不同传感器温度效应差别所带来的影响，该方法能够简单有效地修正RADFET传感器阈值电压。