专利详情

专利名称	一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器
申请号	CN201810090438.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108400172A	公开（授权）日	2018.08.14
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	于一榛;何玮;曹高奇;邓双燕;杨波;邵秀梅;李雪;龚海梅
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/105(2006.01)I
专利有效期	一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器至一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。