专利详情

专利名称	一种电子器件的制作方法
申请号	CN201611257316.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108269914A	公开（授权）日	2018.07.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈垒;吴晓蕾;王镇
主分类号	H01L43/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/12(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I
专利有效期	一种电子器件的制作方法至一种电子器件的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种电子器件的制作方法，包括如下步骤：制作第一材料层，并同步形成第一对准标记；制作第二材料层，并同步形成第二对准标记；所述第一、第二对准标记共同组成复合标记；制作第三材料层，其中，所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义，所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。本发明中，电子束曝光采用复合标记作为套刻对准标记，所述复合标记中，第一、第二对准标记分别与第一、第二材料层同步制作，如果光刻工艺误差使第一材料层图案与第二材料层图案发生偏移，这个偏移情况也会存在于两层结合的复合标记上，利用这个带有偏移信息的复合标记，就能精确地定位第三材料层的位置，从而刻画定位精确的第三材料层图案。