专利详情

专利名称	非制冷型红外光探测器及其制备方法
申请号	CN201711195401.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107968135A	公开（授权）日	2018.04.27
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	单成伟;冯叶;杨春雷
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	非制冷型红外光探测器及其制备方法至非制冷型红外光探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括提供一衬底；在所述衬底上制作形成第一电极层；在所述第一电极层上制作形成吸收层；在所述吸收层上制作形成缓冲层；在所述缓冲层上制作形成透明电极层；在所述透明电极层上制作形成第二电极层，所述吸收层的材料为ⅠB?ⅡB?ⅣA?ⅥA掺杂P型材料，所述缓冲层的材料为N型半导体材料。本发明实施例公开了一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其工艺简单，所需的设备较简单，可大面积生产，制作成本低，可实现民用化，另外采用ⅠB?ⅡB?ⅣA?ⅥA掺杂P型材料来制作吸收层，可扩展红外吸收的波长。