一种碳化硅功率器件封装结构
- 申请号：CN201710947525.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN107768326A
- 公开(公开)日：2018.03.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种碳化硅功率器件封装结构 | ||
| 申请号 | CN201710947525.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107768326A | 公开（授权）日 | 2018.03.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张国斌;赵妙;金智;许恒宇;何在田;万彩萍;刘新宇 |
| 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种碳化硅功率器件封装结构 至一种碳化硅功率器件封装结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种碳化硅器件封装结构，包括：芯片，用于实现器件的主要功能；基板，用于连接到芯片并提供散热；塑封体，用于提供芯片和基板的外部塑封；其中基板表面的中间部位设置有凸起的键合部，芯片表面设置有凹进的键合配位部，当基板和芯片通过焊料键合时，键合部与键合配位部嵌套连接。本发明能够使得功率器件获得更低的结温，提高工作的可靠性。 | ||
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