专利详情

专利名称	一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法
申请号	CN201610473416.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107545082A	公开（授权）日	2018.01.05
申请（专利权）人	中国科学院沈阳自动化研究所	发明（设计）人	赵怀慈;李波;刘明第;孙士洁;吕进锋
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法至一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及计算机仿真领域，具体的说是一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法。本发明包括以下步骤：确定场景中与辐射相关的参数；根据目标自身表面温度计算目标的自身辐射；根据太阳参数和目标表面反射率计算目标对太阳辐射的反射；计算目标对相邻建筑自身辐射的反射；计算目标对相邻建筑对太阳辐射的反射：依据太阳参数和大气环境参数计算目标的辐射影响。本发明能够有效地处理高光谱仿真中相邻物体对于目标的辐射影响，提高了仿真逼真度。