
一种耐高温电容层析成像传感器
- 申请号:CN201510967356.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN106896143A
- 公开(公开)日:2017.06.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种耐高温电容层析成像传感器 | ||
申请号 | CN201510967356.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106896143A | 公开(授权)日 | 2017.06.27 |
申请(专利权)人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 叶茂;郭强;孟霜鹤;张涛;刘中民 |
主分类号 | G01N27/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/22(2006.01)I |
专利有效期 | 一种耐高温电容层析成像传感器 至一种耐高温电容层析成像传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种应用于室温至600℃高温环境下的耐高温电容层析成像传感器。所述传感器包括阵列分布电极、轴端屏蔽电极、绝缘隔离层、轴端屏蔽电极连接层、固定层、屏蔽罩和信号传输线,其中阵列分布电极通过腐蚀镂空的工艺制作而成,并由测量端和固定端组成,分别用来测量电容和包裹固定电极测量端与传输电缆,且测量端通过耐高温绝缘胶整体定位套粘在耐高温绝缘管道的外壁;信号传输线包括高温段和常温段,均为由缆芯、绝缘层和屏蔽丝网组成的双屏蔽线;轴端屏蔽电极连接层与轴端屏蔽电极直接接触,并与屏蔽罩连接。本发明的传感器可以在室温至600℃高温环境下正常使用,有效拓宽了电容层析成像技术在高温热态领域的应用范围。 |
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