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可延展柔性无机光电子器件及其制备方法

  • 申请号:CN201611182489.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN106783745A
  • 公开(公开)日:2017.05.31
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 可延展柔性无机光电子器件及其制备方法
申请号 CN201611182489.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106783745A 公开(授权)日 2017.05.31
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 江宇;徐云;宋国峰;白霖;陈华民;王磊
主分类号 H01L21/84(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L27/142(2014.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I
专利有效期 可延展柔性无机光电子器件及其制备方法 至可延展柔性无机光电子器件及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种可延展柔性无机光电子器件及其制备方法,该方法包括以下步骤:在衬底上生长外延材料,并刻蚀形成多个光电子器件单元,在多个光电子器件单元上制备接触电极;在多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物?金属?聚合物互连结构,并通过接触电极形成电学互连;在聚合物?金属?聚合物互连结构上旋涂胶膜,并对胶膜选择性显影去除;将上述结构黏附于预拉伸并固定的柔性可延展衬底上,并腐蚀去除生长有外延材料的衬底;去除剩余的胶膜,逐渐释放预拉伸并固定的柔性可延展衬底,形成翘曲结构,完成器件制备。本方法制备的可延展柔性无机光电子器件,同时具有高可延展性和高占空比的特性。

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