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激光等离子体电子密度测量装置及测量方法

  • 申请号:CN201711350449.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 公开(公开)号:CN108174503A
  • 公开(公开)日:2018.06.15
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 激光等离子体电子密度测量装置及测量方法
申请号 CN201711350449.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN108174503A 公开(授权)日 2018.06.15
申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 陶华;刘诚;朱健强
主分类号 H05H1/00(2006.01)I IPC主分类号 H05H1/00(2006.01)I
专利有效期 激光等离子体电子密度测量装置及测量方法 至激光等离子体电子密度测量装置及测量方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种激光等离子体电子密度测量装置,包括驱动激光束、第一聚焦镜、激光器、扩束系统、第二聚焦镜、编码板、光斑探测器和计算机。驱动激光束被第一聚焦镜聚焦后与物质相互作用产生等离子体,激光器产生的激光束作为探测光对激光等离子体进行诊断,其通过扩束系统后穿过待测等离子体,待测光经过第二聚焦镜聚焦后照射到编码板上,用光斑探测器记录其所形成的衍射斑。利用这个衍射斑强度和迭代算法重构出待测光的相位分布。测出光经过待测等离子体后的相位变化,光程变化即可确定,用阿贝尔变换处理光程差的数据,从而获得电子密度的分布。本发明无需干涉光路,受环境影响较小,装置结构简单,测量分辨率高,满足于激光等离子体电子密度测量的要求。 1

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